收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > UPA2200T1M-T1-AT
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

UPA2200T1M-T1-AT

Renesas Electronics America 8-WSOF
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与UPA2200T1M-T1-AT相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
UPA2201T1M-T1-AT Renesas Electronics America 8-WSOF MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
UPA2210T1M-T1-AT Renesas Electronics America 8-WSOF MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
UPA2211T1M-T1-AT Renesas Electronics America 8-WSOF MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
UPA1V821MHD1TO Nichicon 径向,Can CAP ALUM 820UF 35V 20% RADIAL 电容:820µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿...
UPA1V681MPD1TD Nichicon 径向,Can 395 CAP ALUM 680UF 35V 20% RADIAL 电容:680µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿...
UPA1V561MPD1TD Nichicon 径向,Can 500 CAP ALUM 560UF 35V 20% RADIAL 电容:560µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿...

UPA2200T1M-T1-AT参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):870pF @ 10V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别