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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > UNR411100A
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UNR411100A

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products NS-B1
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简述:TRANS PNP W/RES 35HFE NS-B1
参考包装数量:5000
参考包装形式:带盒(TB)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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UNR411100A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):35 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:80MHz
功率 - 最大:300mW
安装类型:通孔

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