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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > UMH3NTN
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UMH3NTN

Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与UMH3NTN相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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UMH3NTN参数资料

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晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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