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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > UMA1NTR
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UMA1NTR

Rohm Semiconductor 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353
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简述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与UMA1NTR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
UMA1V100MDD Nichicon 径向,Can 145 CAP ALUM 10UF 35V 20% RADIAL 电容:10µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿命...
UMA1V220MDD Nichicon 径向,Can 170 CAP ALUM 22UF 35V 20% RADIAL 电容:22µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿命...
UMA1V2R2MCD2 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 2.2UF 35V 20% RADIAL 电容:2.2µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿...
UMA1HR47MDD Nichicon 径向,Can 190 CAP ALUM 0.47UF 50V 20% RADIAL 电容:0.47µF 额定电压:50V 容差:±20% ...
UMA1HR33MDD Nichicon 径向,Can CAP ALUM 0.33UF 50V 20% RADIAL 电容:0.33µF 额定电压:50V 容差:±20% ...
UMA1HR22MDD Nichicon 径向,Can CAP ALUM 0.22UF 50V 20% RADIAL 电容:0.22µF 额定电压:50V 容差:±20% ...

UMA1NTR参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):56 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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