| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPS1101DRG4 |
Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+25000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPS1101PWR | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101PWRG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1120D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 452 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| TPS1101DR | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+25000 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS1101DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+11700 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS1101D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 216 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
