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TPCS8009-H(TE12L,Q

Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 150V 2.1A 8TSSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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TPCS8009-H(TE12L,Q参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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