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TPCF8B01(TE85L,F,M

Toshiba 8-SMD,扁平引线
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简述:MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCF8B01(TE85L,F,M相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCH106K010R2500 AVX Corporation 0805(2012 公制) 3500 CAP TANT 10UF 10V 10% 0805 电容:10µF 电压 - 额定:10V 容差:±10%...
TPCH106M010R2500 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP TANT 10UF 10V 20% 0805 电容:10µF 电压 - 额定:10V 容差:±20%...
TPCH336M004R1500 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP TANT 33UF 4V 20% 0805 电容:33µF 电压 - 额定:4V 容差:±20% ...
TPCF8B01(TE85L) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
TPCF8A01(TE85L,F) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 20V 3A VS-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
TPCF8A01(TE85L) Toshiba 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 20V 3A VS-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

TPCF8B01(TE85L,F,M参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 1.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):470pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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