收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPCC8008(TE12L,Q)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPCC8008(TE12L,Q)

Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON-ADV
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCC8008(TE12L,Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCC8009,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8061-H,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8007(TE12L,Q) Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 27A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPCC8008(TE12L,Q)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别