收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPCC8002-H(TE12L,Q
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPCC8002-H(TE12L,Q

Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCC8002-H(TE12L,Q相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCB02593-6-RMM-AGDP-L Nearson Inc ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A ...
TPCA8A04-H(TE12L,Q Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPCC8002-H(TE12L,Q参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别