收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPC8045-H(TE12L,QM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPC8045-H(TE12L,QM

Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 2779
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOP
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与TPC8045-H(TE12L,QM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 3000 MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPC8051-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8042(TE12L,Q,M) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC8037-H(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPC8045-H(TE12L,QM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7540pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别