收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TK45P03M1,RQ(S
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TK45P03M1,RQ(S

Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TK45P03M1,RQ(S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TK46E08N1,S1X Toshiba TO-220-3 MOSFET N CH 80V 46A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK4A53D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

TK45P03M1,RQ(S参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.7 毫欧 @ 22.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 10V
功率 - 最大值:39W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别