收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TK30E06N1,S1X
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TK30E06N1,S1X

Toshiba TO-220-3 475
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 60V 30A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与TK30E06N1,S1X相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TK3434 3M (TC) HOME TAPE KIT - PREMIUM ...
TK34E10N1,S1X Toshiba TO-220-3 MOSFET N CH 100V 34A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK3 Vector Electronics TERMINAL KIT P184 10EA T49 ...
TK2Q60D(Q) Toshiba TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

TK30E06N1,S1X参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1050pF @ 30V
功率 - 最大值:53W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别