收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TK20P04M1,RQ(S
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TK20P04M1,RQ(S

Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TK20P04M1,RQ(S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TK20P100RJE Ohmite TO-220-2 262 RES 100 OHM 20W THICK FILM RAD 电阻(欧姆):100 功率(瓦特):20W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度系...
TK20P10K0JE Ohmite TO-220-2 192 RES 10K OHM 20W THICK FILM RAD 电阻(欧姆):10k 功率(瓦特):20W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度系...
TK20P10R0JE Ohmite TO-220-2 RES 10 OHM 20W THICK FILM RAD 电阻(欧姆):10 功率(瓦特):20W 复合体:厚膜 特点:电流检测 温度系数...
TK20J60U(F) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 2933 MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK20E60U,S1X(S Toshiba TO-220-3 MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK20D60U(Q) Toshiba TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220W FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

TK20P04M1,RQ(S参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):985pF @ 10V
功率 - 最大值:27W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别