收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TK10A50D(STA4,Q,M)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TK10A50D(STA4,Q,M)

Toshiba TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与TK10A50D(STA4,Q,M)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK10A60D(Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK104V01 Kyocera Display America, Inc. TOOLKIT TFT LCD 10.4" VGA ...
TK104V00 Kyocera Display America, Inc. TOOLKIT VGA TFT LCD 10.4" ...
TK104S01 Kyocera Display America, Inc. TOOLKIT TFT 10.4" SVGA ...

TK10A50D(STA4,Q,M)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1050pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别