收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > TIS75_J35Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TIS75_J35Z

Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体
询价QQ:
简述:JFET GP N-CH 30V TO-92
参考包装数量:2000
参考包装形式:散装

与TIS75_J35Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TIS93 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS GP PNP 40V 800MA TO-92 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA 电压 - 集...
TIS93_J35Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS GP PNP 40V 800MA TO-92 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA 电压 - 集...
TIS97 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS GP NPN 40V 500MA TO-92 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
TIS75_D75Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 JFET GP N-CH 30V TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):8mA @ 15V 漏极...
TIS75_D26Z Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 JFET GP N-CH 30V TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):8mA @ 15V 漏极...
TIS75 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 JFET N-CHANNEL TO-92 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):8mA @ 15V 漏极...

TIS75_J35Z参数资料


电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):8mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:800mV @ 4nA
输入电容 (Ciss) @ Vds:18pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(开):60 欧姆
安装类型:通孔
包装:散装

最近更新

型号类别