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TF256-4-TL-H

ON Semiconductor SOT-1123 0+980000
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简述:IC JFET N-CH 10MA 1MA USFP
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TF256-4-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TF256-5-TL-H ON Semiconductor SOT-1123 0+640000 IC JFET N-CH 10MA 1MA USFP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):240µA ...
TF256TH-3-TL-H ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 IC JFET N-CH 20V 1MA VTFP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):100µA ...
TF256TH-4-TL-H ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 IC JFET N-CH 10MA 1MA VTFP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):140µA ...
TF256-3-TL-H ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 IC JFET N-CH 20V 1MA USFP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):100µA ...
TF252TH-5-TL-H ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 JFET N-CH 20V 1MA 3VTFP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):210µA ...
TF252TH-4-TL-H ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 0+2384000 IC JFET N-CH 20V 1MA VTFP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):140µA ...

TF256-4-TL-H参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):140µA @ 2V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:1mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:100mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

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