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SUP75P05-08-E3

Vishay Siliconix TO-220-3
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简述:MOSFET P-CH D-S 55V TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SUP75P05-08-E3参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):225nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8500pF @ 25V
功率 - 最大值:3.7W
安装类型:通孔

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