收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SUP40N10-30-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SUP40N10-30-GE3

Vishay Siliconix TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SUP40N10-30-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SUP40N25-60-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 250V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUP40P10-43-GE3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUP45N03-13L-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUP40N10-30-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUP36N20-54P-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUP28N15-52-E3 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SUP40N10-30-GE3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):38.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别