收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SUM110P06-08L-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SUM110P06-08L-E3

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4099
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与SUM110P06-08L-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SUM110P08-11-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH D-S 80V D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 15200 MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM18N25-165-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 3200 MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 6827 MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 18400 MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH D-S 40V D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SUM110P06-08L-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9200pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别