收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SUM110N03-04P-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SUM110N03-04P-E3

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与SUM110N03-04P-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SUM110N04-03-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM110N04-03P-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM110N04-04-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUM110N03-03P-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUM09N20-270-E3 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH D-S 100V TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SUM110N03-04P-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5100pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别