收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SUD50N10-18P-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SUD50N10-18P-E3

Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 100V TO252
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SUD50N10-18P-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SUD50N10-18P-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6000 MOSFET N-CH 100V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUD50N10-34P-T4-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 100V TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUD50NP04-77P-T4E3 Vishay Siliconix TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD MOSFET N/P-CH 40V TO252-4 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):4...
SUD50N06-09L-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUD50N06-08H-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 325 MOSFET N-CH 60V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SUD50N10-18P-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 50V
功率 - 最大值:3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别