| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SUD23N06-31L-E3 |
Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 60V TO252 参考包装数量：2000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SUD25N04-25-E3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 10000 | MOSFET N-CH 60V 9.1A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 34513 | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
