收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SUD19N20-90-T4-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SUD19N20-90-T4-E3

Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 200V TO252
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SUD19N20-90-T4-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SUD19P06-60-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH D-S 60V TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 34513 MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUD19P06-60L-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH D-S 60V TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4000 MOSFET N-CH D-S 200V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUD17N25-165-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 165 MOSFET N-CH D-S 250V TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SUD15N15-95-E3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2000 MOSFET N-CH D-S 150V TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SUD19N20-90-T4-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 25V
功率 - 最大值:3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别