收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STY60NM60
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STY60NM60

STMicroelectronics MAX247? 554
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与STY60NM60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STY80NM60N STMicroelectronics MAX247? 1457 MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STZ5.6NT146 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 8950 DIODE ZENER DUAL 5.6V SOT-346 电压 - 齐纳(标称)(Vz):5.6V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
STZ6.2NT146 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 5996 DIODE ZENER DUAL 6.2V SOT-346 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
STY60NM50 STMicroelectronics MAX247? 704 MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STY60NK30Z STMicroelectronics MAX247? 516 MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STY34NB50 STMicroelectronics MAX247? MOSFET N-CH 500V 34A MAX247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STY60NM60参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):266nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7300pF @ 25V
功率 - 最大值:560W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别