收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STW54NM65ND
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STW54NM65ND

STMicroelectronics TO-247-3 595
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与STW54NM65ND相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STW55NM50N STMicroelectronics TO-247-3 4 MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STW55NM60N STMicroelectronics TO-247-3 645 MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW55NM60ND STMicroelectronics TO-247-3 1608 MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW54NK30Z STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW52NK25Z STMicroelectronics TO-247-3 2431 MOSFET N-CH 250V 52A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW50NB20 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STW54NM65ND参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):49A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 24.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):188nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6200pF @ 50V
功率 - 最大值:350W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别