收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STW36N55M5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STW36N55M5

STMicroelectronics TO-247-3 595
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 550V 33A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与STW36N55M5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STW36NM60N STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW38N65M5 STMicroelectronics TO-247-3 590 MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW38NB20 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 38A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW35N65M5 STMicroelectronics TO-247-3 489 MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW34NM60ND STMicroelectronics TO-247-3 364 MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW34NM60N STMicroelectronics TO-247-3 1105 MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STW36N55M5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):550V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2950pF @ 100V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别