收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STW28NK60Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STW28NK60Z

STMicroelectronics TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 27A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与STW28NK60Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STW28NM50N STMicroelectronics TO-247-3 1630 MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW29NK50Z STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 31A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW29NK50ZD STMicroelectronics TO-247-3 269 MOSFET N-CH 500V 29A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW27NM60ND STMicroelectronics TO-247-3 368 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW26NM60N STMicroelectronics TO-247-3 5341 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW26NM60 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STW28NK60Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):185 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):264nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6350pF @ 25V
功率 - 最大值:350W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别