收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STW16NK60Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STW16NK60Z

STMicroelectronics TO-247-3 71
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与STW16NK60Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STW16NM50N STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 15A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW17N62K3 STMicroelectronics TO-247-3 589 MOSFET N-CH 620V 15A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW18N65M5 STMicroelectronics TO-247-3 595 MOSFET N CH 650V 15A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW16N65M5 STMicroelectronics TO-247-3 477 MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW160N75F3 STMicroelectronics TO-247-3 805 MOSFET N-CH 75V 120A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW15NM60ND STMicroelectronics TO-247-3 539 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STW16NK60Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):420 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2650pF @ 25V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别