收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STW13NB60
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STW13NB60

STMicroelectronics TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与STW13NB60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STW13NK100Z STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW13NK50Z STMicroelectronics TO-247-3 105 MOSFET N-CH 500V 11A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW13NK60Z STMicroelectronics TO-247-3 529 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW13N95K3 STMicroelectronics TO-247-3 390 MOSFET N-CH 950V 10A 190W TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STW13009 STMicroelectronics TO-247-3 TRANS NPN 400V 12A TO247 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A 电压 - 集电极...
STW12NM60N STMicroelectronics TO-247-3 400 MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STW13NB60参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 25V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别