收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STV240N75F3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STV240N75F3

STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 1975
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10
参考包装数量:1
参考包装形式:

与STV240N75F3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STV250N55F3 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STV270N4F3 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 794 MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STV300NH02L STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 1800 MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STV2050A STMicroelectronics 80-BQFP IC DGTL CONVERGENCE PROC 80-PQFP 类型:视频 应用:HDTV 安装类型:表面贴装...
STV200N55F3 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 1200 MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STV160NF03LT4 STMicroelectronics PowerSO-10 裸露底部焊盘 600 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STV240N75F3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):240A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 120A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6800pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别