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STU11NM60ND

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
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简述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

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STU11NM60ND参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 50V
功率 - 最大值:90W
安装类型:通孔

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