收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STS20N3LLH6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS20N3LLH6

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS20N3LLH6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS25NH3LL STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS25NH3LL-E STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS26N3LLH6 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS2 Panduit Corp 54 TOOL CABLE TIE ...
STS1NK60Z STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STS1HNK60 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STS20N3LLH6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1690pF @ 25V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别