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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STS15N4LLF5
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STS15N4LLF5

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS15N4LLF5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS17NF3LL STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS17NH3LL STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS19N3LLH6 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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STS14N3LLH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET N-CH 30V 14A SOIC-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STS1400PC04 TE Connectivity 5075 SWITCH SLIDE 4POS VERT BLACK T/H ...

STS15N4LLF5参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 25V
功率 - 最大值:3W
安装类型:表面贴装

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