收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STS12NH3LL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS12NH3LL

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS12NH3LL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS13N3LLH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS1400PC04 TE Connectivity 5075 SWITCH SLIDE 4POS VERT BLACK T/H ...
STS14N3LLH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET N-CH 30V 14A SOIC-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STS12NF30L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS12N3LLH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS121PC04 TE Connectivity 1768 SWITCH SLIDE 2POS VERT BLACK T/H ...

STS12NH3LL参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):965pF @ 25V
功率 - 最大值:2.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别