收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP9NK60ZD
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP9NK60ZD

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP9NK60ZD相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP9NK60ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP9NK65Z STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP9NK65ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 890 MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP9NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 543+8000 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP9NK50ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 820 MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP9NK50Z STMicroelectronics TO-220-3 1249+1000 MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP9NK60ZD参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1110pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别