收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP95N2LH5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP95N2LH5

STMicroelectronics TO-220-3 361
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP95N2LH5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP95N3LLH6 STMicroelectronics TO-220-3 671 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP95N4F3 STMicroelectronics TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP9NK50Z STMicroelectronics TO-220-3 1249+1000 MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP95N04 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP90NF03L STMicroelectronics TO-220-3 325 MOSFET N-CH 30V 90A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP90N55F4 STMicroelectronics TO-220-3 888 MOSFET N-CH 55V 90A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP95N2LH5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1817pF @ 25V
功率 - 最大值:70W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别