收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP75N20
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP75N20

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STP75N20相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP75N3LLH6 STMicroelectronics TO-220-3 2186 MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP75N75F4 STMicroelectronics * 1000 MOSFET N CH 75V 78A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP75NF20 STMicroelectronics TO-220-3 3663 MOSFET N-CH 200V 75A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP70NF03L STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP70N10F4 STMicroelectronics TO-220-3 1725 MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP6NM60N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP75N20参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 37A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3260pF @ 25V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别