收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP60NF06FP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP60NF06FP

STMicroelectronics TO-220-3 整包 374
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP60NF06FP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP60NF06L STMicroelectronics TO-220-3 11389 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP60NF10 STMicroelectronics TO-220-3 4450 MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP60NH2LL STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 24V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP60NF06 STMicroelectronics TO-220-3 5268 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP60NF03L STMicroelectronics TO-220-3 527 MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP60NE06L-16 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STP60NF06FP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1810pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别