收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP60N55F3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP60N55F3

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP60N55F3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP60NE06-16 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP60NE06L-16 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP60NF03L STMicroelectronics TO-220-3 527 MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP60N3LH5 STMicroelectronics TO-220-3 2832 MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP5NK90Z STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP5NK80ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 1777 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP60N55F3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别