收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP5NK65Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP5NK65Z

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STP5NK65Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP5NK65ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 1918 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP5NK80Z STMicroelectronics TO-220-3 10772 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP5NK80ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 1777 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP5NK60ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 1985 MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP5NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 1606 MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP5NK52ZD STMicroelectronics TO-220-3 232 MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP5NK65Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 2.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):680pF @ 25V
功率 - 最大值:85W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别