收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP55NF06
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP55NF06

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP55NF06相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP55NF06FP STMicroelectronics TO-220-3 整包 482 MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP55NF06L STMicroelectronics TO-220-3 2249 MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP57N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 42A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP52N25M5 STMicroelectronics TO-220-3 909 MOSFET N-CH 250V 28A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP50NF25 STMicroelectronics TO-220-3 5003 MOSFET N-CH 250V 45A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP50NE10 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP55NF06参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 27.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别