收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP4NB50
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP4NB50

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP4NB50相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP4NB80 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP4NK50Z STMicroelectronics TO-220-3 3481 MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP4NK50ZD STMicroelectronics TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP4NB100 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP4N62K3 STMicroelectronics TO-220-3 968 MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP4N52K3 STMicroelectronics TO-220-3 975 MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP4NB50参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 欧姆 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别