收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP40NF12
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP40NF12

STMicroelectronics TO-220-3 421
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP40NF12相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP40NF20 STMicroelectronics TO-220-3 887 MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP40NS15 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP42N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 881 MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP40NF10L STMicroelectronics TO-220-3 3469 MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP40NF10 STMicroelectronics TO-220-3 320 MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP40NF03L STMicroelectronics TO-220-3 2084 MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STP40NF12参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):120V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1880pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别