收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP35N65M5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP35N65M5

STMicroelectronics TO-220-3 613
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 27A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP35N65M5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP35NF10 STMicroelectronics TO-220-3 30478 MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP36N55M5 STMicroelectronics TO-220-3 298 MOSFET N CH 550V 33A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP36NF06 STMicroelectronics TO-220-3 4452 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP34NM60ND STMicroelectronics TO-220-3 598 MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP34NM60N STMicroelectronics TO-220-3 成形引线 820 MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP34N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 650V 29A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP35N65M5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):98 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):83nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3750pF @ 100V
功率 - 最大值:160W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别