收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP27N3LH5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP27N3LH5

STMicroelectronics TO-220-3 349
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 27A TO220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP27N3LH5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP28NM50N STMicroelectronics TO-220-3 711 MOSFET N-CH 500V 21A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP2N62K3 STMicroelectronics TO-220-3 1896 MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP2NK100Z STMicroelectronics TO-220-3 20300 MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP270N4F3 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP270N04 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP26NM60N STMicroelectronics TO-220-3 10154 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP27N3LH5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):475pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别