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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP260N6F6
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STP260N6F6

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简述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STP260N6F6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP26NM60N STMicroelectronics TO-220-3 10154 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP270N04 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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STP25NM60ND STMicroelectronics TO-220-3 2009 MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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STP25NM50N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 22A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP260N6F6参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):183nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11400pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

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