收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP21N90K5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP21N90K5

STMicroelectronics TO-220-3 801
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP21N90K5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP21NM50N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP21NM60N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP21NM60ND STMicroelectronics TO-220-3 1509 MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP21N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP210N75F6 STMicroelectronics TO-220-3 894 MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP20NM65N STMicroelectronics TO-220-3 975 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP21N90K5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):299 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1645pF @ 100V
功率 - 最大值:250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别