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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP18NM80
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STP18NM80

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简述:MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP18NM80相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP190N55LF3 STMicroelectronics TO-220-3 2753 MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP19NB20 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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STP18NM60N STMicroelectronics TO-220-3 758 MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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STP18NM80参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2070pF @ 50V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

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