收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP17N62K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP17N62K3

STMicroelectronics TO-220-3 1000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 620V 15A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STP17N62K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP17NF25 STMicroelectronics TO-220-3 997 MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP17NK40Z STMicroelectronics TO-220-3 973 MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP17NK40ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 976 MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP16NS25FP STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 250V 16A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP16NS25 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP16NM50N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP17N62K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):620V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):94nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 50V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别