收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP13N95K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP13N95K3

STMicroelectronics TO-220-3 成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 950V 10A 190W TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP13N95K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP13NK50Z STMicroelectronics TO-220-3 654 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP13NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 2626 MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP13NK60ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 972 MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP130N10F3 STMicroelectronics TO-220-3 961 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12PF06 STMicroelectronics TO-220-3 169 MOSFET P-CH 60V 12A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12NM60N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP13N95K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):950V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1620pF @ 100V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别